型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SCT3080KLC11 | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 1200V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Ca | |
SCT3080KLHR | ROHM |
获取价格 |
沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻 | |
SCT3080KR | ROHM |
获取价格 |
SCT3080KR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟 | |
SCT3080KRHR (新产品) | ROHM |
获取价格 |
AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3080KRHR is an SiC (Silicon Carbide) trenc | |
SCT3080KW7 | ROHM |
获取价格 |
SCT3080KW7是1200V 30A的Nch SiC功率MOSFET。采用沟槽结构,降 | |
SCT30N120 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
碳化硅功率MOSFET,1200 V、45 A、90 mOhm(典型值,TJ = 150 | |
SCT30N120H | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an H2PAK-2 package | |
SCT3105KL | ROHM |
获取价格 |
沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻 | |
SCT3105KLHR | ROHM |
获取价格 |
沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻 | |
SCT3105KR | ROHM |
获取价格 |
SCT3105KR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟 |