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SCT3080KR

更新时间： 2023-09-03 20:25:22

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		电站开关栅驱动服务器驱动器
页数	文件大小	规格书
17页	1386K
描述
SCT3080KR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装，能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装（TO-247N）相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。

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SCT3080KR 数据手册

SCT3080KR

N-channel SiC power MOSFET

Datasheet

lOutline

TO-247-4L

V_DSS

1200V

80mΩ

31A

R_DS(on)(Typ.)

I_D

P_D

165W

(1) (2)(3)(4)

lInner circuit

lFeatures

1) Low on-resistance

2) Fast switching speed

3) Fast reverse recovery

4) Easy to parallel

Please note Driver Source and Power Source are

not exchangeable. Their exchange might lead to

malfunction.

5) Simple to drive

6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

lPackaging specifications

Tube

Packing

lApplication

・Solar inverters

Reel size (mm)

Tape width (mm)

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

・DC/DC converters

・Switch mode power supplies

・Induction heating

・Motor drives

Type

C15

SCT3080KR

Marking

lAbsolute maximum ratings (T_vj= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Drain - Source Voltage

Symbol

V_DSS

Value

1200

Unit

T_c= 25°C

I_D

Continuous Drain current

T_c= 100°C

I_D

Pulsed Drain current (T_c= 25°C)

Gate - Source voltage (DC)

I_D,pulse

V_GSS

-4 to +22

-4 to +26

0 / +18

175

Gate - Source surge voltage (t_surge< 300ns)

Recommended drive voltage

V_{GSS_surge}

V_{GS_op}

T_vj

Virtual Junction temperature

°C

T_stg

Range of storage temperature

-55 to +175

°C

www.rohm.com

TSZ22111・14・001

TSQ50214-SCT3080KR

9.Nov.2022 - Rev.003

1/15

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