型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SCT3030KLC11 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 1200V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Ca |
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SCT3030KLHR | ROHM |
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沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻 |
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SCT3040KL | ROHM |
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SCT3040KL是1200V 55A的Nch SiC功率MOSFET。 |
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SCT3040KLC11 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 1200V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Ca |
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SCT3040KLHR | ROHM |
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沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻 |
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SCT3040KR | ROHM |
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SCT3040KR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟 |
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SCT3040KRHR (新产品) | ROHM |
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AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3040KRHR is an SiC (Silicon Carbide) trenc |
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SCT3040KW7 | ROHM |
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SCT3040KW7是1200V 56A的Nch SiC功率MOSFET。采用沟槽结构,降 |
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SCT305K122D3B25-F | CDE |
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Snubber Film Capacitor |
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SCT3060AL | ROHM |
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SCT3060AL是650V 39A的Nch SiC功率MOSFET。 |
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