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SCT2H12NY

更新时间： 2023-09-03 20:37:43

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罗姆 - ROHM		/
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14页	793K
描述
SCT2H12NY是1700V 4A的Nch SiC功率MOSFET。

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SCT2H12NY 数据手册

SCT2H12NY

Datasheet

N-channel SiC power MOSFET

Outline

TO-268-2L

(2)

V_DSS

1700V

1.15

R_DS(on)(Typ.)

I_D

P_D

44W

(1)

(3)

Features

Inner circuit

(2)

1) Low on-resistance

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

2) Fast switching speed

3) Long creepage distance with no center lead

4) Simple to drive

(1)

*1 Body Diode

5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

(3)

Packaging specifications

Embossed tape

Packing

Reel size (mm)

330

Application

Tape width (mm)

Type

400

・Auxilialy power supplies

・Switch mode power supplies

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

Marking

SCT2H12NY

Absolute maximum ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Symbol

V_DSS

Value

1700

Unit

Drain - Source voltage

T_c= 25°C

Continuous drain current

T_c= 100°C

I_D

2.9

I_D

Pulsed drain current

I_D,pulse

V_GSS

Gate - Source voltage (DC)

Gate - Source surge voltage (t_surge<300nsec)

Power dissipation (T_c= 25°C)

Junction temperature

6 to 22

10 to 26

V_{GSS_surge}

P_D

T_j

°C

175

T_stg

Range of storage temperature

55 to 175

www.rohm.com

2017.07 - Rev.B

1/12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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