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SCT3030AW7

更新时间： 2023-09-03 20:34:43

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罗姆 - ROHM		电子
页数	文件大小	规格书
17页	1407K
描述
SCT3030AW7是650V 70A的Nch SiC功率MOSFET。采用沟槽结构，降低了导通电阻。 SiC支持页面评估板、文件应用实例介绍罗姆制SiC元器件何谓SiC功率元器件？电子小知识

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SCT3030AW7 数据手册

SCT3030AW7

Datasheet

N-channel SiC power MOSFET

lOutline

TO-263-7L

V_DSS

650V

30mΩ

70A

R_DS(on)(Typ.)

I_D

P_D

267W

lInner circuit

lFeatures

1) Low on-resistance

2) Fast switching speed

3) Fast reverse recovery

4) Easy to parallel

Please note Driver Source and Power Source are

not exchangeable. Their exchange might lead to

malfunction.

5) Simple to drive

6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

lPackaging specifications

Embossed tape

Packing

lApplication

・Solar inverters

Reel size (mm)

Tape width (mm)

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

330

・DC/DC converters

・Switch mode power supplies

・Induction heating

・Motor drives

Type

1000

SCT3030AW7

Marking

lAbsolute maximum ratings (T_vj= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Drain - Source Voltage

Symbol

V_DSS

Value

650

Unit

T_c= 25°C

I_D

Continuous Drain current

T_c= 100°C

I_D

Pulsed Drain current (T_c= 25°C)

Gate - Source voltage (DC)

175

I_D,pulse

V_GSS

-4 to +22

-4 to +26

0 / +18

Gate - Source surge voltage (t_surge< 300ns)

Recommended drive voltage

V_{GSS_surge}

V_{GS_op}

T_vj

Virtual Junction temperature

175

°C

T_stg

Range of storage temperature

-55 to +175

www.rohm.com

TSZ22111・14・001

TSQ50252-SCT3030AW7

1.Nov.2022 - Rev.002

1/15

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