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SCT3022KLHR

更新时间： 2023-09-03 20:35:16

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		栅栅极调节器
页数	文件大小	规格书
17页	1334K
描述
沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。

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SCT3022KLHR 数据手册

SCT3022KLHR

Datasheet

Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET

lOutline

TO-247N

V_DSS

1200V

22mΩ

95A

R_DS(on)(Typ.)

I_D

P_D

427W

(3)

(2)

(1)

lInner circuit

lFeatures

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

1) Qualified to AEC-Q101

2) Low on-resistance

3) Fast switching speed

4) Fast reverse recovery

5) Easy to parallel

*Body Diode

Please note Driver Source and Power Source are

not exchangeable. Their exchange might lead to

malfunction.

6) Simple to drive

7) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

lPackaging specifications

Tube

Packing

lApplication

・Automobile

Reel size (mm)

Tape width (mm)

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

・Switch mode power supplies

Type

C11

Marking

SCT3022KL

lAbsolute maximum ratings (T_vj= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Drain - Source Voltage

Symbol

V_DSS

Value

1200

Unit

T_c= 25°C

I_D

Continuous Drain current

T_c= 100°C

I_D

Pulsed Drain current (T_c= 25°C)

Gate - Source voltage (DC)

237

I_D,pulse

V_GSS

-4 to +22

-4 to +26

0 / +18

175

Gate - Source surge voltage (t_surge< 300nsec)

Recommended drive voltage

V_{GSS_surge}

V_{GS_op}

T_vj

Virtual Junction temperature

°C

T_stg

Range of storage temperature

-55 to +175

°C

www.rohm.com

TSZ22111・14・001

TSQ50211-SCT3022KLHR

13.Nov.2022 - Rev.002

1/15

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