是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T4 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
Factory Lead Time: | 17 weeks | 风险等级: | 2.18 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 650 V |
最大漏极电流 (ID): | 70 A | 最大漏源导通电阻: | 0.039 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 175 A |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON CARBIDE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SCT3030ARHR (新产品) | ROHM |
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AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3030ARHR is an SiC (Silicon Carbide) trenc | |
SCT3030AW7 | ROHM |
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SCT3030AW7是650V 70A的Nch SiC功率MOSFET。采用沟槽结构,降低 | |
SCT3030KL | ROHM |
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SCT3030KL是1200V 72A的Nch SiC功率MOSFET。 | |
SCT3030KLC11 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 1200V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Ca | |
SCT3030KLHR | ROHM |
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沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻 | |
SCT3040KL | ROHM |
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SCT3040KL是1200V 55A的Nch SiC功率MOSFET。 | |
SCT3040KLC11 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 1200V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Ca | |
SCT3040KLHR | ROHM |
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沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻 | |
SCT3040KR | ROHM |
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SCT3040KR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟 | |
SCT3040KRHR (新产品) | ROHM |
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AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3040KRHR is an SiC (Silicon Carbide) trenc |