型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SCT3030ALGC11 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 650V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Car | |
SCT3030ALHR | ROHM |
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沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻 | |
SCT3030AR | ROHM |
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SCT3030AR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟 | |
SCT3030ARC14 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 650V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Car | |
SCT3030ARHR (新产品) | ROHM |
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AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3030ARHR is an SiC (Silicon Carbide) trenc | |
SCT3030AW7 | ROHM |
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SCT3030AW7是650V 70A的Nch SiC功率MOSFET。采用沟槽结构,降低 | |
SCT3030KL | ROHM |
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SCT3030KL是1200V 72A的Nch SiC功率MOSFET。 | |
SCT3030KLC11 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 1200V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Ca | |
SCT3030KLHR | ROHM |
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沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻 | |
SCT3040KL | ROHM |
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SCT3040KL是1200V 55A的Nch SiC功率MOSFET。 |