型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SCT3022ALGC11 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 93A I(D), 650V, 0.0286ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Ca |
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SCT3022ALHR | ROHM |
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沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻 |
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SCT3022ALHRC11 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, |
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SCT3022KL | ROHM |
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SCT3022KL是1200V 95A的Nch SiC功率MOSFET。 |
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SCT3022KLC11 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor |
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SCT3022KLHR | ROHM |
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沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻 |
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SCT3030AL | ROHM |
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SCT3030AL是650V 70A的Nch SiC功率MOSFET。 |
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SCT3030ALGC11 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 650V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Car |
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SCT3030ALHR | ROHM |
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沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻 |
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SCT3030AR | ROHM |
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SCT3030AR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟 |
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