Datasheet > SCT2450KE

SCT2450KE

更新时间： 2023-09-03 20:25:03

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关
页数	文件大小	规格书
14页	971K
描述
基于SiC的平面型MOSFET。（SiC-SBD非一体型）其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SCT2450KE 数据手册

SCT2450KE

Datasheet

N-channel SiC power MOSFET

lOutline

TO-247N

V_DSS

1200V

450mΩ

10A

R_DS(on)(Typ.)

I_D

(3)

(2)

P_D

85W

(1)

lInner circuit

lFeatures

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

1) Low on-resistance

2) Fast switching speed

3) Fast reverse recovery

4) Easy to parallel

*1 Body Diode

5) Simple to drive

lPackaging specifications

TO-247N

6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

Package

Packing

Tube

Reel size (mm)

lApplication

Tape width (mm)

Type

• Solar inverters

• DC/DC converters

• Induction heating

• Motor drives

Basic ordering unit (pcs)

Packing code

Marking

C11

SCT2450KE

lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V_DSS

Value

1200

Unit

Drain - Source voltage

T_c= 25°C

Continuous drain current

T_c= 100°C

I_D

Pulsed drain current

I_D,pulse

V_GSS

Gate - Source voltage (DC)

Gate - Source surge voltage (T_surge˂ 300nsec)

Power dissipation (T_c= 25°C)

Junction temperature

-6 to 22

-10 to 26

V_GSS-surge

P_D

T_j

°C

175

T_stg

Range of storage temperature

-55 to +175

www.rohm.com

TSZ22111・14・001

TSQ50211-SCT2450KE

29.Mar.2021 - Rev.001

1/12

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与SCT2450KE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SCT2450KEHR	ROHM	获取价格	采用SiC材质的平面型MOSFET，具有高耐压、低导通电阻、高速开关的特点，是符合AEC-
SCT2508	ETC	获取价格	线束/连接线/端子线
SCT2512	ETC	获取价格	12-bit serial-in/parall-out constant current driver
SCT2750NY	ROHM	获取价格	SCT2750NY是1700V 6A的Nch SiC功率MOSFET。
SCT2932	ETC	获取价格	1A LED Driver With Intemal Switch
SCT2H12NY	ROHM	获取价格	SCT2H12NY是1700V 4A的Nch SiC功率MOSFET。
SCT2H12NZ	ROHM	获取价格	SCT2H12NZ是1700V 3.7A的Nch SiC功率MOSFET。
SCT3017AL	ROHM	获取价格	SCT3017AL是650V 118A的Nch SiC功率MOSFET。
SCT3017ALHR	ROHM	获取价格	沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻
SCT3022AL	ROHM	获取价格	SCT3022AL是650V 93A的Nch SiC功率MOSFET。