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SCT205K601A3S28F

更新时间： 2024-11-01 18:40:55
品牌 Logo 应用领域
CDE 电容器
页数 文件大小 规格书
3页 418K
描述
CAPACITOR, FILM/FOIL, 600V, 2uF, CHASSIS MOUNT, ROHS COMPLIANT

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SCT205K601A3S28F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8532.25.00.80风险等级：5.77
电容：2 µF电容器类型：FILM CAPACITOR
安装特点：CHASSIS MOUNT负容差：10%
端子数量：2封装形状：RECTANGULAR PACKAGE
正容差：10%额定（直流）电压（URdc）：600 V
表面贴装：NO端子形状：LUG
Base Number Matches：1

SCT205K601A3S28F 数据手册

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SCT型  
IGBT突波吸收盒装电容器  
�ꢀꢁꢂꢃꢄꢅ�ꢃꢃꢃꢄꢆꢇꢈꢈꢂꢉꢃFilm ꢅꢊꢁꢊꢋꢌꢍꢎꢉꢃ  
用途：  
SCT型 直接安装  
Applications  
SCT型对高速率电压上升的中低电流的IGBT提供了电压的保护，  
Type SCT Direct Mount  
Type SCT offers protection against voltage transients in  
low to medium current IGBT applications where high  
连接在两个IGBT模块上联络C1到E2的电容器，或者从P端口及  
dV/dt is encountered. Connect these capacitors from  
特点：  
Highlights  
承受瞬间大电流  
C1 to E2 on a dual IGBT module or from terminal P  
N端口除去了在六组模块上一些瞬间的电压。  
�
�
�
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢈꢄꢉꢄꢊꢋꢌꢄꢍꢎꢏꢏꢆꢐꢑꢄꢍꢇꢅꢇꢒꢁꢓꢁꢑꢔ  
to terminal N on a six-pack module to eliminate severe  
voltage transients.  
直接安装在IGBT模块上  
ꢋꢕꢎꢐꢑꢖꢄꢗꢁꢏꢆꢍꢑꢓꢔꢄꢑꢕꢄꢑꢃꢆꢄꢘꢙꢚꢛꢄꢜꢕꢗꢎꢓꢆ  
小于20nH的低电感  
ꢝꢕꢞꢄꢁꢐꢗꢎꢍꢑꢇꢐꢍꢆꢄꢟꢄꢠꢡꢄꢐꢀ  
符合UL94V0 标准的阻燃环氧树脂封装  
RoHS Compliant  
�
种类  
ꢢꢓꢇꢜꢆꢄꢏꢆꢖꢁꢖꢑꢇꢐꢍꢆꢄꢍꢇꢖꢆꢄꢇꢐꢗꢄꢏꢆꢖꢁꢐꢣꢄꢜꢆꢆꢑꢖꢄꢤꢝꢥꢦꢧꢡ  
Ratings  
安培  
SL型尺寸的参考因素  
Consult Factory for "SL" Style Dimensions  
I
等效  
串联  
电阻  
B型的宽度  
B型的高度  
长度  
Length  
70°C  
H for "B" Type W for "B" Type  
电压  
上升  
速率  
目录型号  
峰值  
电流  
Catalog  
ESR  
电容量 頻率  
S型的宽度  
S型的高度  
Part Number  
Cap. 60 Hz dV/dt Ipk Typ. 100 kHz  
(L)  
W for "S" Type H for "S" Type  
(µF) (Vac) (V/µs) (A) (mΩ) (Arms) (in) (mm)  
600 Vdc  
(in)  
(mm)  
(in)  
(mm)  
SCT474K601A3B25-F 0.47 275  
SCT684K601A3B25-F 0.68 275  
SCT105K601A3B25-F 1.00 275  
SCT155K601A3B25-F 1.50 275  
SCT205K601A3B25-F 2.00 275  
SCT335K601A3B25-F 3.30 275  
SCT475K601A3B25-F 4.70 275  
250  
200  
150  
150  
150  
150  
120  
118  
136  
150  
225  
300  
495  
564  
12  
9
8.1  
9.4  
1.77 45.0  
1.77 45.0  
1.77 45.0  
1.77 45.0  
2.01 51.0  
2.01 51.0  
2.32 59.0  
1.30  
1.30  
1.30  
1.30  
1.42  
1.57  
1.77  
33.0  
33.0  
33.0  
33.0  
36.0  
40.0  
45.0  
0.87  
0.87  
0.87  
0.87  
0.98  
1.18  
1.38  
22.0  
22.0  
22.0  
22.0  
25.0  
30.0  
35.0  
8
10.0  
10.6  
11.7  
14.8  
19.6  
7
7
5
4
1000 Vdc  
SCT224K102D3B25-F 0.22 500  
SCT474K102D3B25-F 0.47 500  
SCT564K102D3B25-F 0.56 500  
SCT684K102D3B25-F 0.68 500  
SCT105K102D3B25-F 1.00 500  
SCT125K102D3B25-F 1.20 500  
650  
450  
400  
400  
400  
400  
143  
211  
224  
272  
400  
480  
19  
9
6.4  
9.3  
1.77 45.0  
1.77 45.0  
1.77 45.0  
1.77 45.0  
2.01 51.0  
2.01 51.0  
1.30  
1.30  
1.30  
1.30  
1.42  
1.57  
33.0  
33.0  
33.0  
33.0  
36.0  
40.0  
0.87  
0.87  
0.87  
0.87  
0.98  
1.18  
22.0  
22.0  
22.0  
22.0  
25.0  
30.0  
9
9.3  
7
10.6  
13.8  
15.1  
5
5
ꢨꢩꢪꢄꢨꢕꢏꢐꢆꢓꢓꢄꢩꢎꢒꢁꢓꢁꢆꢏꢄ�ꢄꢫꢬꢡꢭꢄꢪꢮꢄꢊꢕꢗꢐꢆꢔꢄꢢꢏꢆꢐꢍꢃꢄꢚꢓꢯꢗꢮꢄ�ꢄꢰꢆꢞꢄꢚꢆꢗꢱꢕꢏꢗꢣꢄꢋꢲꢄꢡꢠꢳꢦꢦꢄ�ꢄꢴꢃꢕꢐꢆꢵꢄꢶꢭꢡꢷꢸꢥꢥꢬꢹꢷꢭꢬꢫꢄ�ꢄꢢꢇꢺꢵꢄꢶꢭꢡꢷꢸꢥꢥꢬꢹꢻꢷꢻꢡꢄ�ꢄꢞꢞꢞꢮꢍꢗꢆꢮꢍꢕꢜ  
123

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与SCT205K601A3S28F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SCT205K601A3SL25F CDE

获取价格

 		CAPACITOR, FILM/FOIL, 600V, 2uF, CHASSIS MOUNT, ROHS COMPLIANT
SCT2080KE ROHM

获取价格

 		基于SiC的平面型MOSFET。（SiC-SBD非一体型） 其特征是高耐压、低导通电阻、高
SCT2080KEHR ROHM

获取价格

 		基于SiC的平面型MOSFET。 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
SCT20N120 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150
SCT20N120AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj =
SCT20N120H STMICROELECTRONICS

获取价格

 		碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150
SCT20N170 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		碳化硅功率MOSFET：20 A、1700 V、189 mOhm（典型值，Tj = 150
SCT20N170AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 64 mOhm typ., 43 A in an HiP247 pack
SCT2110 ETC

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 		8-bit senrial-in/parallel-out constant current driver
SCT2120AF ROHM

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 		N-channel SiC power MOSFET

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