型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SCT20N120 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150 | |
SCT20N120AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = | |
SCT20N120H | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150 | |
SCT20N170 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
碳化硅功率MOSFET:20 A、1700 V、189 mOhm(典型值,Tj = 150 | |
SCT20N170AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 64 mOhm typ., 43 A in an HiP247 pack | |
SCT2110 | ETC |
获取价格 |
8-bit senrial-in/parallel-out constant current driver | |
SCT2120AF | ROHM |
获取价格 |
N-channel SiC power MOSFET | |
SCT2120AF_17 | ROHM |
获取价格 |
N-channel SiC power MOSFET | |
SCT2160KE | ROHM |
获取价格 |
基于SiC的平面型MOSFET。(SiC-SBD非一体型) 其特征是高耐压、低导通电阻、高 | |
SCT2160KEHR | ROHM |
获取价格 |
采用SiC材质的平面型MOSFET,具有高耐压、低导通电阻、高速开关的特点,是符合AEC- |