5秒后页面跳转
SCT2080KEHR PDF预览

SCT2080KEHR

更新时间: 2024-11-02 11:14:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关
页数 文件大小 规格书
13页 1049K
描述
基于SiC的平面型MOSFET。 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。

SCT2080KEHR 数据手册

 浏览型号SCT2080KEHR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SCT2080KEHR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SCT2080KEHR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SCT2080KEHR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SCT2080KEHR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SCT2080KEHR的Datasheet PDF文件第7页 
SCT2080KEHR  
Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET  
Datasheet  
lOutline  
TO-247N  
VDSS  
RDS(on) (Typ.)  
ID  
1200V  
80mΩ  
40A  
lFeatures  
lInner circuit  
1) Low on-resistance  
2) Fast switching speed  
3) Fast reverse recovery  
4) Easy to parallel  
(1) Gate  
(2) Drain  
(3) Source  
* Body Diode  
5) Simple to drive  
6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant  
7) Qualified to AEC-Q101  
lPackaging specifications  
TO-247N  
Package  
Packing  
Tube  
lApplication  
Reel size (mm)  
-
Automobile  
Tape width (mm)  
Type  
-
30  
Switch mode power supplies  
Basic ordering unit (pcs)  
Packing code  
Marking  
C11  
SCT2080KE  
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
VDSS  
Value  
1200  
Unit  
V
Drain - Source voltage  
*1  
Tc = 25°C  
Tc = 100°C  
40  
A
ID  
Continuous drain current  
*1  
28  
A
ID  
*2  
Pulsed drain current  
80  
A
ID,pulse  
VGSS  
Gate - Source voltage (DC)  
V
-6 to +22  
-10 to +26  
262  
*3  
Gate - Source surge voltage (surge ˂ 300nsec)  
V
VGSS_surge  
TC=25°C, See Fig.1  
Total power dissipation  
W
W
°C  
°C  
PD  
TC=100°C, See Fig.1  
130  
Tj  
Junction temperature  
175  
Tstg  
Range of storage temperature  
-55 to +175  
www.rohm.com  
© 2019 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
TSZ22111・14・001  
TSQ50211-SCT2080KEHR  
28.Mar.2019 - Rev.002  
1/12  

与SCT2080KEHR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SCT20N120 STMICROELECTRONICS

获取价格

碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150
SCT20N120AG STMICROELECTRONICS

获取价格

汽车级碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj =
SCT20N120H STMICROELECTRONICS

获取价格

碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150
SCT20N170 STMICROELECTRONICS

获取价格

碳化硅功率MOSFET:20 A、1700 V、189 mOhm(典型值,Tj = 150
SCT20N170AG STMICROELECTRONICS

获取价格

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 64 mOhm typ., 43 A in an HiP247 pack
SCT2110 ETC

获取价格

8-bit senrial-in/parallel-out constant current driver
SCT2120AF ROHM

获取价格

N-channel SiC power MOSFET
SCT2120AF_17 ROHM

获取价格

N-channel SiC power MOSFET
SCT2160KE ROHM

获取价格

基于SiC的平面型MOSFET。(SiC-SBD非一体型) 其特征是高耐压、低导通电阻、高
SCT2160KEHR ROHM

获取价格

采用SiC材质的平面型MOSFET,具有高耐压、低导通电阻、高速开关的特点,是符合AEC-