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SCT2080KEHR

更新时间: 2023-09-03 20:35:55
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罗姆 - ROHM 开关
页数 文件大小 规格书
13页 1049K
描述
基于SiC的平面型MOSFET。 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。

SCT2080KEHR 数据手册

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SCT2080KEHR  
Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET  
Datasheet  
lOutline  
TO-247N  
VDSS  
RDS(on) (Typ.)  
ID  
1200V  
80mΩ  
40A  
lFeatures  
lInner circuit  
1) Low on-resistance  
2) Fast switching speed  
3) Fast reverse recovery  
4) Easy to parallel  
(1) Gate  
(2) Drain  
(3) Source  
* Body Diode  
5) Simple to drive  
6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant  
7) Qualified to AEC-Q101  
lPackaging specifications  
TO-247N  
Package  
Packing  
Tube  
lApplication  
Reel size (mm)  
-
Automobile  
Tape width (mm)  
Type  
-
30  
Switch mode power supplies  
Basic ordering unit (pcs)  
Packing code  
Marking  
C11  
SCT2080KE  
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
VDSS  
Value  
1200  
Unit  
V
Drain - Source voltage  
*1  
Tc = 25°C  
Tc = 100°C  
40  
A
ID  
Continuous drain current  
*1  
28  
A
ID  
*2  
Pulsed drain current  
80  
A
ID,pulse  
VGSS  
Gate - Source voltage (DC)  
V
-6 to +22  
-10 to +26  
262  
*3  
Gate - Source surge voltage (surge ˂ 300nsec)  
V
VGSS_surge  
TC=25°C, See Fig.1  
Total power dissipation  
W
W
°C  
°C  
PD  
TC=100°C, See Fig.1  
130  
Tj  
Junction temperature  
175  
Tstg  
Range of storage temperature  
-55 to +175  
www.rohm.com  
© 2019 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
TSZ22111・14・001  
TSQ50211-SCT2080KEHR  
28.Mar.2019 - Rev.002  
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