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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
11页 | 354K | |
描述 | ||
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 64 mOhm typ., 43 A in an HiP247 package |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SCT2110 | ETC |
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8-bit senrial-in/parallel-out constant current driver | |
SCT2120AF | ROHM |
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N-channel SiC power MOSFET | |
SCT2120AF_17 | ROHM |
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N-channel SiC power MOSFET | |
SCT2160KE | ROHM |
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基于SiC的平面型MOSFET。(SiC-SBD非一体型) 其特征是高耐压、低导通电阻、高 | |
SCT2160KEHR | ROHM |
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采用SiC材质的平面型MOSFET,具有高耐压、低导通电阻、高速开关的特点,是符合AEC- | |
SCT2167 | ETC |
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8-bit senrial-in/parallel-out constant current driver | |
SCT2168 | ETC |
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8-bit serial-in/parallel-out constant current driver | |
SCT2168S | ETC |
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8-bit serial-in/parallel-out constant curent driver | |
SCT2169 | ETC |
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8-bit constant-current led | |
SCT2180 | ETC |
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8-bit parallel-in/parallel-out |