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SB1H100-23 PDF预览

SB1H100-23

更新时间： 2024-11-07 15:50:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
2页 21K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

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SB1H100-23 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-41包装说明：PLASTIC, DO-41, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.38其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-204ALJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：250认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN SILVER
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SB1H100-23 数据手册

 浏览型号SB1H100-23的Datasheet PDF文件第2页 
SB1H90 and SB1H100  
Vishay Semiconductor  
New Product  
High Voltage Schottky Rectifiers  
Reverse Voltage 90 to 100V  
Forward Current 1.0A  
DO-204AL (DO-41)  
Features  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
• Low power loss, high efficiency  
• For use in low voltage high frequency inverters,  
free-wheeling, and polarity protection applications  
1.0 (25.4)  
MIN.  
• Guardring for overvoltage protection  
0.107 (2.7)  
0.080 (2.0)  
DIA.  
Mechanical Data  
Case: JEDEC DO-204AL molded plastic body  
0.205 (5.2)  
0.160 (4.1)  
Terminals: Plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
High temperature soldering guaranteed:  
250°C/10 seconds at terminals  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
1.0 (25.4)  
MIN.  
Weight: 0.012oz., 0.34g  
Packaging Codes-Options:  
0.034 (0.86)  
1-5K per Bulk box, 50K/carton  
0.028 (0.71)  
DIA.  
4-5.5K per 13” reel (52.4mm Tape), 22K/carton  
23-3K per Ammo mag. (52.4mm Tape), 27K/carton  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics(TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbols  
VRRM  
VRMS  
VDC  
SB1H90  
SB1H100  
Units  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
90  
100  
V
V
V
A
63  
70  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
90  
100  
IF(AV)  
1.0  
50  
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
IRRM  
A
Peak repetitive reverse surge current at tp = 2.0µs, 1KHZ  
1.0  
A
RθJA  
RθJL  
57  
15  
Maximum thermal resistance (2)  
°C/W  
Maximum operating junction temperature  
Storage temperature range  
TJ  
175  
°C  
°C  
TSTG  
–55 to +175  
Electrical Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)  
IF = 1.0A, TJ = 25°C  
0.77  
0.62  
0.86  
0.70  
Maximum instantaneous  
forward voltage at: (1)  
IF = 1.0A, TJ = 125°C  
IF = 2.0A, TJ = 25°C  
IF = 2.0A, TJ = 125°C  
VF  
V
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage(1)  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
1.0  
0.5  
µA  
mA  
IR  
Notes: (1) Pulse test: 300µs pulse width, 1% duty cycle  
(2) P.C.B. mounted with 0.2 x 0.2” (5.0 x 5.0mm) copper pad areas  
Document Number 88716  
25-Jun-02  
www.vishay.com  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB1H100-4 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41,
SB1H100-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Signa
SB1H100-E3/23 VISHAY

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