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SB1H90-E3/73

更新时间： 2024-09-18 15:50:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 78K
描述
DIODE 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, DO-41, 2 PIN, Signal Diode

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SB1H90-E3/73 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.47
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.62 VJEDEC-95代码：DO-204AL
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：90 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

SB1H90-E3/73 数据手册

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SB1H90, SB1H100  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
High Voltage Schottky Plastic Rectifier  
High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance  
FEATURES  
• High barrier technology for improved high TJ  
• Guardring for overvoltage protection  
• Low power losses and high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Very low leakage current  
• High forward surge capability  
DO-204AL (DO-41)  
• High frequency operation  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
For use in middle voltage high frequency inverters,  
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection  
applications.  
IF(AV)  
1.0 A  
90 V, 100 V  
50 A  
VRRM  
IFSM  
MECHANICAL DATA  
VF  
0.62 V  
Case: DO-204AL (DO-41)  
IR  
1.0 μA  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
175 °C  
DO-204AL  
Single  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
VRMS  
SB1H90  
90  
SB1H100  
100  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
V
V
V
A
63  
70  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
VDC  
90  
100  
IF(AV)  
1.0  
50  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
A
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
IRRM  
TJ  
10 000  
1.0  
V/μs  
A
Peak repetitive reverse surge current at tp = 2.0 μs, 1 kHz  
Maximum operating junction temperature  
Storage temperature range  
175  
°C  
°C  
TSTG  
- 55 to + 175  
Revision: 13-Aug-13  
Document Number: 88716  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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SB1H90-E3/73 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SB1H90-E3/54 VISHAY

完全替代

 DIODE 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, DO-41, 2 PIN, Signal Dio

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 		1A, 90V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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 		Data Line Filter, 1 Function(s), 200V, 10A,

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