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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DO-5 |
| 包装说明： | METAL, DO-5, 1 PIN | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.59 |
| 其他特性： | EXCELLENT RELIABILITY | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V | JEDEC-95代码： | DO-203AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1200 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 70 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 最大反向电流： | 50 µA |
| 最大反向恢复时间： | 5 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N2138RA | MICROSEMI |
功能相似  |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N2138 | MICROSEMI |
功能相似 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| R3460 | MICROSEMI |
功能相似 |
Silicon Power Rectifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S3067 | ETC |
获取价格 |
MULTIRATE (OC-48/24/12/3/GBE/FC) SONET/SDH/ATM TRANSCEIVER w/ FEC |
|
| S3067TB-156TBGA20 | ETC |
获取价格 |
MULTIRATE (OC-48/24/12/3/GBE/FC) SONET/SDH/ATM TRANSCEIVER w/ FEC |
|
| S3067TB20 | ETC |
获取价格 |
MULTIRATE (OC-48/24/12/3/GBE/FC) SONET/SDH/ATM TRANSCEIVER w/ FEC |
|
| S30680 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| S306A1 | HUTSON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
|
| S306B1 | HUTSON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
|
| S306B2 | HUTSON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
|
| S306D1 | HUTSON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
|
| S306F1 | HUTSON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, |
|
| S306M1 | HUTSON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
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