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1N2138

更新时间: 2024-01-10 17:47:01
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 137K
描述
SILICON POWER RECTIFIER

1N2138 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:DO-5, 1 PINReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.66Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.3 VJEDEC-95代码:DO-203AB
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:900 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最大输出电流:60 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:600 V表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N2138 数据手册

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1N2138RA VISHAY

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AB, ROHS COMPLIANT,