是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DO-5, 1 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.66 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.3 V | JEDEC-95代码: | DO-203AB |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流: | 900 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最大输出电流: | 60 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压: | 600 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
S30660 | MICROSEMI |
功能相似 ![]() |
Silicon Power Rectifier |
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1N2138 | MICROSEMI |
功能相似 ![]() |
SILICON POWER RECTIFIER |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N2138RAPBF | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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1N214 | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
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1N215 | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
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1N2151A | NJSEMI |
获取价格 |
Si Rectifiers |
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1N2153 | ETC |
获取价格 |
Standard Rectifier (trr more than 500ns) |
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1N2153E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, |
![]() |
1N2154 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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1N2154 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifiers |
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1N2154 | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 25A, 50V V(RRM) |
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1N2154A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode 50V 40A 2-Pin DO-5 |
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