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1N2153E3

更新时间: 2024-09-30 14:46:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon,

1N2153E3 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.75应用:POWER
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:50 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:6 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

1N2153E3 数据手册

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