生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.75 | 应用: | POWER |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流: | 50 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 6 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 最大重复峰值反向电压: | 600 V |
表面贴装: | NO | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N2154 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N2154 | NJSEMI |
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Silicon Power Rectifiers | |
1N2154 | POWEREX |
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Rectifier Diode, 1 Element, 25A, 50V V(RRM) | |
1N2154A | NJSEMI |
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Diode 50V 40A 2-Pin DO-5 | |
1N2154R | NJSEMI |
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electrical ratings and specifications | |
1N2154R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 PI | |
1N2154R | POWEREX |
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Rectifier Diode, 1 Element, 25A, 50V V(RRM) | |
1N2154RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 PI | |
1N2155 | NJSEMI |
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Silicon Power Rectifiers | |
1N2155 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |