是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-5 |
包装说明: | METAL, DO-5, 1 PIN | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.78 |
其他特性: | EXCELLENT RELIABILITY | 应用: | POWER |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.1 V | JEDEC-95代码: | DO-203AB |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 1500 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 85 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 400 V | 最大反向电流: | 50 µA |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
S3076 | ETC |
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MULTI-RATE SONET/SDH CLOCK RECOVERY UNIT | |
S30760 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier | |
S3076DI | ETC |
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MULTI-RATE SONET/SDH CLOCK RECOVERY UNIT | |
S3076TT | ETC |
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MULTI-RATE SONET/SDH CLOCK RECOVERY UNIT | |
S3078DI | AMCC |
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Clock Recovery Circuit, 1-Func, BICMOS, DIE-80 | |
S3078PB | ROCHESTER |
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CLOCK RECOVERY CIRCUIT, PBGA81, PLASTIC, BGA-81 | |
S3078PB | AMCC |
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Clock Recovery Circuit, 1-Func, BICMOS, PBGA81, PLASTIC, BGA-81 | |
S307A2 | HUTSON |
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element | |
S307B1 | HUTSON |
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element | |
S307B2 | HUTSON |
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |