是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.72 |
其他特性: | SENSITIVE GATE | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率: | 5 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 0.2 mA | 最大直流栅极触发电压: | 0.8 V |
最大维持电流: | 6 mA | JEDEC-95代码: | TO-202 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
最大漏电流: | 0.1 mA | 通态非重复峰值电流: | 80 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最大通态电流: | 8000 A | 最高工作温度: | 110 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 8 A | 重复峰值关态漏电流最大值: | 100 µA |
断态重复峰值电压: | 600 V | 重复峰值反向电压: | 600 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
S306M2 | HUTSON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element | |
S307 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier | |
S3071 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Si PIN photodiode Large area, high-speed Si PIN photodiodes | |
S3071_15 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Si PIN photodiodes | |
S30710 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 85A, Silicon, DO-5, | |
S3072 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Si PIN photodiode Large area, high-speed Si PIN photodiodes | |
S30720 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier | |
S30740 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier | |
S3076 | ETC |
获取价格 |
MULTI-RATE SONET/SDH CLOCK RECOVERY UNIT | |
S30760 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |