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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | VFBGA, | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 100 ns | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| 长度： | 10 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.2 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S1M0W046B0J7 | SEIKO |
获取价格 |
256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, TFBGA-48 |
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| S1M-13 | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
|
| S1M-13-F | DIODES |
获取价格 |
1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
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| S1M1V045B0J7 | SEIKO |
获取价格 |
256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, TFBGA-48 |
|
| S1M1V085B0J7 | SEIKO |
获取价格 |
512KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, TFBGA-48 |
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| S1M1W043B0J7 | SEIKO |
获取价格 |
256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48 |
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| S1M8653BQ | SAMSUNG |
获取价格 |
Baseband Circuit, BICMOS, PQFP80, 12 X 12 MM, QFP-80 |
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| S1M8656A | SAMSUNG |
获取价格 |
CDMA/AMPS Dual Mode IF/ baseband IC |
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| S1M8656A01-E0T0 | SAMSUNG |
获取价格 |
CDMA/AMPS Dual Mode IF/ baseband IC |
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| S1M8656A01-F0T0 | SAMSUNG |
获取价格 |
CDMA/AMPS Dual Mode IF/ baseband IC |
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