是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMA, 2 PIN |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
Factory Lead Time: | 10 weeks | 风险等级: | 0.49 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.1 V | JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 30 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 1000 V |
最大反向恢复时间: | 3 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
S1M1V045B0J7 | SEIKO |
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256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, TFBGA-48 | |
S1M1V085B0J7 | SEIKO |
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512KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, TFBGA-48 | |
S1M1W043B0J7 | SEIKO |
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256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48 | |
S1M8653BQ | SAMSUNG |
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Baseband Circuit, BICMOS, PQFP80, 12 X 12 MM, QFP-80 | |
S1M8656A | SAMSUNG |
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CDMA/AMPS Dual Mode IF/ baseband IC | |
S1M8656A01-E0T0 | SAMSUNG |
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CDMA/AMPS Dual Mode IF/ baseband IC | |
S1M8656A01-F0T0 | SAMSUNG |
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CDMA/AMPS Dual Mode IF/ baseband IC | |
S1M8657 | SAMSUNG |
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TX IF/BBA WITH AGC | |
S1M8657X01-E0T0 | SAMSUNG |
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TX IF/BBA WITH AGC | |
S1M8657X01-F0T0 | SAMSUNG |
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TX IF/BBA WITH AGC |