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RTF010P02TL

更新时间： 2024-11-08 19:43:15

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罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	91K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TUMT3, 3 PIN

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RTF010P02TL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.87
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	0.43 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RTF010P02TL 数据手册

RTF010P02

Transistors

DC-DC Converter (−20V, −1.0A)

RTF010P02

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low on-resistance. (80mΩ at 2.5V)

2) High power package.

3) High speed switching.

4) Low voltage drive. (2.5V)

TUMT3

2.0±0.1

0.85MAX

0.77±0.05

+0.1

0.3

−0.05

(3)

0 to 0.1

(1)

(2)

zApplications

0.65 0.65

0.17±0.05

Each lead has same dimensions

1.3±0.1

DC-DC converter

Abbreviated symbol : WQ

zEquivalent circuit

zStructure

Silicon P-channel

MOS FET

(3)

(1)

zPackaging specifications

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

3000

(2)

RTF010P02

(1) Gate

(2) Source

(3) Drain

1 ESD PROTECTION DIODE

2 BODY DIODE

1/4

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RTF010P02TR	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
RTF011P02	ROHM	获取价格	2.5V Drive Pch MOS FET
RTF011P02TL	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
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