Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> RTF015P02FRATR

RTF015P02FRATR

更新时间： 2024-11-10 13:00:59

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		转换器 DC-DC转换器
页数	文件大小	规格书
5页	89K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TUMT3, 3 PIN

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RTF015P02FRATR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RTF015P02FRATR 数据手册

RTF015P02

Transistors

DC-DC Converter (−20V, −1.5A)

RTF015P02

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low on-resistance. (80mΩ at 2.5V)

2) High power package.

3) High speed switching.

4) Low voltage drive. (2.5V)

TUMT3

2.0±0.1

0.85MAX

+0.1

0.77±0.05

0.3

−0.05

(3)

0 to 0.1

(1)

(2)

zApplications

0.65 0.65

0.17±0.05

1.3±0.1

DC-DC converter

Each lead has same dimensions

Abbreviated symbol : WV

zEquivalent circuit

zStructure

Silicon P-channel

MOS FET

(3)

(1)

zPackaging specifications

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

3000

(2)

RTF015P02

(1) Gate

(2) Source

(3) Drain

1 ESD PROTECTION DIODE

2 BODY DIODE

1/4

12 3 4 5

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