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RTF025N03FRATL PDF预览

RTF025N03FRATL

更新时间： 2024-11-10 21:16:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 1103K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TUMT3, 3 PIN

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RTF025N03FRATL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TUMT3, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.68配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：2.5 A
最大漏源导通电阻：0.098 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RTF025N03FRATL 数据手册

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RTF025N03FRA  
Transistors  
AEC-Q101 Qualified  
2.5V Drive Nch MOSFET  
RTF025N03FRA  
zStructure  
zDimensions (Unit : mm)  
Silicon N-channel MOSFET  
TUMT3  
zFeatures  
1) Low On-resistance.  
2) Space saving, small surface mount package (TUMT3).  
3) Low voltage drive (2.5V drive).  
(1) Gate  
(2) Source  
(3) Drain  
Abbreviated symbol : PL  
zApplications  
Switching  
zPackaging specifications  
zInner circuit  
(3)  
Package  
Taping  
TL  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
RTF025N03FRA  
(1)  
∗2  
∗1  
(2)  
(1) Gate  
(2) Source  
(3) Drain  
∗1 ESD PROTECTION DIODE  
∗2 BODY DIODE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Limits  
Unit  
V
30  
12  
V
Continuous  
2.5  
A
Drain current  
Pulsed  
∗1  
IDP  
IS  
10  
0.6  
A
Source current  
(Body diode)  
Continuous  
A
∗1  
∗2  
Pulsed  
ISP  
10  
A
Total power dissipation  
Channel temperature  
PD  
0.8  
W
°C  
°C  
Tch  
Tstg  
150  
Range of storage temperature  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 Mounted on a ceramic board  
−55 to +150  
zThermal resistance  
Rev.A  
1/2  
12345

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RTF025N03FRATL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RTR025N03FRATL ROHM

功能相似

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