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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | SSM, 2-2H1A, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.5 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN2118(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General |
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| RN2118(TE85L,F) | TOSHIBA |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416 |
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| RN2118(TE85R) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General |
|
| RN2118FT(F) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| RN2118MFV | TOSHIBA |
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Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver |
|
| RN2119FV | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera |
|
| RN2119MFV | TOSHIBA |
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Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
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| RN2119MFV(TL3PAV) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| RN2119MFV(TPL3) | TOSHIBA |
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Digital Transistors Bias Resistor |
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| RN212 | ETC |
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Current-compensated Chokes |
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