RJK0301DPB

更新时间： 2024-11-11 06:07:59

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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RJK0301DPB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LFPAK
包装说明：	SC-100, 4 PIN	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	60 A	最大漏源导通电阻：	0.004 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RJK0301DPB 数据手册

RJK0301DPB

Silicon N Channel Power MOS FET

Power Switching

REJ03G1338-0900

Rev.9.00

Apr 19, 2006

Features

•

High speed switching

Capable of 4.5V gate drive

Low drive current

High density mounting

Low on-resistance

R_DS(on)= 2.3 mΩ typ. (at V_GS= 10 V)

Outline

RENESAS Package code: PTZZ0005DA-A

(Package name: LFPAK)

1, 2, 3 Source

Gate

Drain

S S S

2 3

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

+16/ –12

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

I_DR

240

Body-drain diode reverse drain current

Avalanche current

Note 2

I_AP

Note 2

Avalanche energy

E_AR

Channel dissipation

Pch ^Note3

θch-C

Tch

Channel to Case Thermal Resistance

Channel temperature

1.93

°C/W

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω

3. Tc = 25°C

Rev.9.00 Apr 19, 2006 page 1 of 6

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