RJK0303DPB

更新时间： 2024-11-11 09:48:27

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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RJK0303DPB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LFPAK
包装说明：	,	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	55 W
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RJK0303DPB 数据手册

RJK0303DPB

Silicon N Channel Power MOS FET

Power Switching

REJ03G1341-0600

Rev.6.00

Apr 19, 2006

Features

•

High speed switching

Capable of 4.5 V gate drive

Low drive current

High density mounting

Low on-resistance

R_DS(on)= 3.1 mΩ typ. (at V_GS= 10 V)

Outline

RENESAS Package code: PTZZ0005DA-A

(Package name: LFPAK)

1, 2, 3 Source

Gate

Drain

S S S

2 3

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

+16/-12

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

I_DR

160

Body-drain diode reverse drain current

Avalanche current

Note 2

I_AP

Note 2

Avalanche energy

E_AR

Channel dissipation

Pch ^Note3

θch-C

Tch

Channel to Case Thermal Resistance

Channel temperature

2.27

150

°C/W

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω

3. Tc = 25°C

Rev.6.00 Apr 19, 2006 page 1 of 6

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