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RGT20TM65D

更新时间： 2024-11-24 11:08:23

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		双极性晶体管调节器
页数	文件大小	规格书
12页	1237K
描述
RGT20TM65D是一款低VCE(sat)的场截止沟槽型IGBT。适用于逆变器、UPS、功率调节器、焊接等用途。

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RGT20TM65D 数据手册

RGT20TM65D

650V 10A Field Stop Trench IGBT

Datasheet

lOutline

TO-220NFM

V_CES

I_{C (100°C)}

V_{CE(sat) (Typ.)}

P_D

650V

1.65V

25W

(1)(2)(3)

lInner Circuit

lFeatures

(2)

(3)

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) Low Switching Loss

(1) Gate

(2) Collector

(3) Emitter

(1)

3) Short Circuit Withstand Time 5μs

*1 Built in FRD

4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

(RFN - Series)

lPackaging Specifications

5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

Packaging

Tube

lApplication

Reel Size (mm)

General Inverter

Tape Width (mm)

Type

1,000

UPS

Basic Ordering Unit (pcs)

Power Conditioner

Welder

Packing Code

Marking

RGT20TM65D

lAbsolute Maximum Ratings (at T_C= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector - Emitter Voltage

Symbol

V_CES

V_GES

I_C

Value

Unit

650

Gate - Emitter Voltage

±30

T_C= 25°C

Collector Current

T_C= 100°C

I_C

Pulsed Collector Current

Diode Forward Current

Diode Pulsed Forward Current

Power Dissipation

I_CP

T_C= 25°C

I_F

T_C= 100°C

I_FP

T_C= 25°C

P_D

T_j

°C

T_C= 100°C

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-40 to +175

-55 to +175

T_stg

*1 Pulse width limited by T_jmax.

www.rohm.com

2019.06 - Rev.B

1/11

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