Datasheet > RGT16NS65D(TO-262)

RGT16NS65D(TO-262)

更新时间： 2024-11-20 11:14:15

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		栅双极性晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
12页	791K
描述
罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RGT16NS65D(TO-262) 数据手册

浏览型号RGT16NS65D(TO-262)的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号RGT16NS65D(TO-262)的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号RGT16NS65D(TO-262)的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号RGT16NS65D(TO-262)的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号RGT16NS65D(TO-262)的Datasheet PDF文件第6页

RGT16NS65D

650V 8A Field Stop Trench IGBT

Data Sheet

lOutline

LPDS / TO-262

V_CES

I_C(100°C)

V_{CE(sat) (Typ.)}

P_D

650V

(2)

1.65V

94W

(1)

(3)

(1)(2)(3)

lFeatures

lInner Circuit

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) Low Switching Loss

(2)

(1) Gate

(2) Collector

(3) Emitter

3) Short Circuit Withstand Time 5μs

(1)

4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

(RFN - Series)

*1 Built in FRD

(3)

5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

lPackaging Specifications

Packaging

Taping / Tube

330 / -

lApplications

General Inverter

Reel Size (mm)

UPS

Tape Width (mm)

Type

24 / -

Power Conditioner

Welder

Basic Ordering Unit (pcs) 1,000 / 1,000

Packing code

Marking

TL / C9

RGT16NS65D

lAbsolute Maximum Ratings (at T_C= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector - Emitter Voltage

Symbol

V_CES

V_GES

I_C

Value

Unit

650

Gate - Emitter Voltage

30

T_C= 25°C

Collector Current

T_C= 100°C

I_C

Pulsed Collector Current

Diode Forward Current

Diode Pulsed Forward Current

Power Dissipation

I_CP

T_C= 25°C

I_F

T_C= 100°C

I_FP

T_C= 25°C

P_D

T_j

°C

T_C= 100°C

Operating Junction Temperature

-40 to +175

-55 to +175

T_stg

Storage Temperature

*1 Pulse width limited by T_jmax.

www.rohm.com

2015.11 - Rev.C

1/11

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与RGT16NS65D(TO-262)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RGT16TM65D	ROHM	获取价格	RGT16TM65D是低VCE(sat)的Field Stop Trench IGBT。适
RGT20NL65	ROHM	获取价格	RGT20NL65是一款具有低VCE(sat)和低开关损耗的IGBT。适用于逆变器、UPS
RGT20TM65D	ROHM	获取价格	RGT20TM65D是一款低VCE(sat)的场截止沟槽型IGBT。适用于逆变器、UPS、
RGT2-30001002G	TTELEC	获取价格	Thick Film Temperature Compensation Resistor
RGT2-30001002J	TTELEC	获取价格	Thick Film Temperature Compensation Resistor
RGT2-30001002K	TTELEC	获取价格	Thick Film Temperature Compensation Resistor
RGT30NL65D	ROHM	获取价格	RGT30NL65D是低VCE(sat)的Field Stop Trench IGBT。适
RGT30NS65D(LPDS)	ROHM	获取价格	罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。
RGT30NS65D(TO-262)	ROHM	获取价格	罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。
RGT30TM65D	ROHM	获取价格	RGT30TM65D是低VCE(sat)的Field Stop Trench IGBT。适