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RF1K49154

更新时间： 2024-02-27 23:15:13

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英特矽尔 - INTERSIL		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	424K
描述
2A, 60V, 0.130 Ohm, Dual N-Channel, LittleFET⑩ Power MOSFET

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RF1K49154 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.36
其他特性：	ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	0.15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	155 ns
最大开启时间（吨）：	50 ns	Base Number Matches：	1

RF1K49154 数据手册

RF1K49154

Data Sheet

October 1999

File Number 4143.3

2A, 60V, 0.130 Ohm, Dual N-Channel,

LittleFET™ Power MOSFET

Features

• 2A, 60V

• r

This Dual N-Channel power MOSFET is manufactured using

the latest manufacturing process technology. This process,

which uses feature sizes approaching those of LSI

integrated circuits, gives optimum utilization of silicon,

resulting in outstanding performance. It is designed for use

in applications such as switching regulators, switching

converters, motor drivers, relay drivers, and low voltage bus

switches. These devices can be operated directly from

integrated circuits.

= 0.130Ω

DS(ON)

• Temperature Compensating PSPICE Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA49154.

Symbol

Ordering Information

D1(8)

D1(7)

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

RF1K49154

MS-012AA

S1(1)

G1(2)

NOTE: When ordering, use the entire part number. For ordering in

tape and reel, add the suffix 96 to the part number, i.e., RF1K4915496.

D2(6)

D2(5)

S2(3)

G2(4)

Packaging

JEDEC MS-012AA

BRANDING DASH

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

LittleFET™ is a trademark of Intersil Corporation. PSPICE® is a registered trademark of MicroSim Corporation.

12 3 4 5 6 7 8

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RF1K49154 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AUIRF7103QTR	INFINEON	功能相似	Advanced Planar Technology Dual N Channel MOSFET
IRF7103TRPBF	INFINEON	功能相似	adavanced process technology
IRF7103PBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

与RF1K49154相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RF1K4915496	FAIRCHILD	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| SO
RF1K4915496	RENESAS	获取价格	2A, 60V, 0.13ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
RF1K49156	FAIRCHILD	获取价格	6.3A, 30V, 0.030 Ohm, Logic Level, Single N-Channel LittleFET Power MOSFET
RF1K49156	INTERSIL	获取价格	6.3A, 30V, 0.030 Ohm, Logic Level, Single N-Channel LittleFET Power MOSFET
RF1K4915696	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 6.3A I(D) \| SO
RF1K49157	INTERSIL	获取价格	6.3A, 30V, 0.030 Ohm, Single N-Channel Little
RF1K49157	FAIRCHILD	获取价格	6.3A, 30V, Avalanche Rated, Single N-Channel
RF1K4915796	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 6.3A I(D) \| SO
RF1K49211	INTERSIL	获取价格	7A, 12V, 0.020 Ohm, Logic Level, Single N-Cha
RF1K49211	RENESAS	获取价格	7A, 12V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA

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