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RB551V-30TE-17

更新时间: 2024-11-18 15:49:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 307K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon, SC-76, 2 PIN

RB551V-30TE-17 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:SC-76
包装说明:R-PDSO-F2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:7.85
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.36 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e1
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最大输出电流:0.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

RB551V-30TE-17 数据手册

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Schottky Barrier Diode  
RB551V-30  
Datasheet  
lApplication  
lDimensions (Unit : mm)  
lLand size figure (Unit : mm)  
High frequency rectification  
1.25±0.1  
0.1±0.1  
ꢀꢀꢀ 0.05  
0.9MIN.  
lFeatures  
1) Small mold type. (UMD2)  
UMD2  
Low VF  
2)  
3) High reliability.  
lStructure  
Cathode  
0.7±0.2  
ꢀꢀꢀ 0.1  
0.3±0.05  
ROHM : UMD2  
JEDEC :SOD-323  
JEITA : SC-90/A  
dot (year week factory)  
lConstruction  
Anode  
Silicon epitaxial planar  
lTaping specifications (Unit : mm)  
f1.550.05  
0.3±0.1  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
4.0±0.1  
f1.05  
1.40±0.1  
1.0±0.1  
lAbsolute maximum ratings (Ta= 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VRM  
VR  
30  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
20  
V
500  
Average rectified forward current  
Forward current surge peak (60Hz1cyc)  
Junction temperature  
Io  
A
IFSM  
Tj  
2
A
125  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
-40 to +125  
lElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol Min. Typ. Max.  
Unit  
V
VF1  
VF2  
IR  
IF=100mA  
-
-
-
-
-
-
0.36  
0.47  
100  
Forward voltage  
Reverse current  
IF=500mA  
VR=20V  
V
mA  
www.rohm.com  
© 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2013.04 - Rev.D  
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