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RB551V-40-TP

更新时间： 2024-09-27 21:17:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 394K
描述
Rectifier Diode,

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RB551V-40-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.62
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.2 W
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

RB551V-40-TP 数据手册

 浏览型号RB551V-40-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RB551V-40-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
R
Micro Commercial Components  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
RB551V-40  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
•
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Marking: D4  
High Current Rectifier Schottky Diode  
Low Voltage, Low Inductance  
For Power Supply  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
500 mA  
Schottky Barrier Diode  
40 Volts  
•
•
•
•
·
·
•
Moisture Sensitivity Level 1  
Lead Free Finish/RoHS Compliant("P" Suffix  
designates RoHS Compliant. See ordering information)  
SOD-323  
A
B
Maximum Ratings  
Symbol  
VRM  
IO  
IFSM  
Pd  
Rating  
Peak Reverse Voltage  
Continuous Forward Current  
Non-repetitive Forward Peak Surge Current  
Power Dissipation  
Rating  
40  
Unit  
V
mA  
A
mW  
oC/W  
R
500  
2
200  
500  
125  
C
E
RthJA  
TJ  
Thermal Resistance Junction To Ambient  
Junction Temperature  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
H
D
J
G
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
DIMENSIONS  
MM  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
DIM  
INCHES  
NOTE  
OFF CHARACTERISTICS  
MIN  
MAX  
MIN  
2.30  
1.60  
1.15  
0.80  
0.25  
0.10  
0.10  
-----  
MAX  
2.70  
1.80  
1.35  
1.15  
0.40  
0.45  
0.25  
0.15  
Forward Voltage  
(IF=500mAdc)  
A
B
C
D
E
G
H
J
.090  
.063  
.045  
.031  
.010  
.004  
.004  
-----  
.107  
.071  
.053  
.045  
.016  
.018  
.010  
.006  
VF  
V(BR)  
IR  
---  
---  
0.47  
Vdc  
Reverse Voltage  
(IR=0.1mAdc)  
40  
---  
---  
---  
Vdc  
Reverse Current  
(VR=40Vdc)  
---  
100  
µAdc  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
0.074"  
0.027”  
0.022”  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2016/04/16  
123

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与RB551V-40-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RB551VH-30 BL Galaxy Electrical

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 		0.5A,30V,Surface Mount Small Signal Schottky Diodes
RB551VM-30 ROHM

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 		Schottky Barrier Diode
RB551VM-30FH ROHM

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon, SC-90A, 3 PIN
RB551VM-30FHTE-17 ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode,
RB551VM-30TE-17 ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM),
RB551VM-40 ROHM

获取价格

 		RB551VM-40是超低VF且适用于小电流整流用的高可靠性肖特基势垒二极管。
RB551VM-40FH ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, SC-90/A, 2 PIN
RB551VM-40FHTE-17 ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode,
RB551VM-40TE-17 ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, UMD2, SC-
RB552EA ROHM

获取价格

 		RB552EA是低VF的一般整流用肖特基势垒二极管。

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