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RB551VM-30

更新时间: 2024-11-18 09:37:51
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罗姆 - ROHM 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 1011K
描述
Schottky Barrier Diode

RB551VM-30 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:SC-901A包装说明:PLASTIC, SC-901A, UMD2, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.73其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:30 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RB551VM-30 数据手册

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Data Sheet  
Schottky Barrier Diode  
RB551VM-30  
lApplications  
lDimensions (Unit : mm)  
lLand size figure (Unit : mm)  
High speed switching  
1.25±0.1  
0.1±0.1  
ꢀꢀꢀ 0.05  
0.9MIN.  
lFeatures  
1)Small mold type. (UMD2)  
2)Low VF  
3)High reliability  
UMD2  
lConstruction  
0.7±0.2  
ꢀꢀꢀ 0.1  
Silicon epitaxial  
lStructure  
0.3±0.05  
ROHM : UMD2  
JEDEC : SOD-323  
JEITA : SC-901A  
dot (year week factory)  
lTaping specifications (Unit : mm)  
φ 1.55±0.05  
0.3±0.1  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
4.0±0.1  
φ 1.05  
1.40±0.1  
1.0±0.1  
lAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive)  
Reverse voltage (DC)  
30  
20  
V
Average rectified forward current  
Forward current surge peak (60Hz1cyc)  
Junction temperature  
500  
Io  
IFSM  
Tj  
mA  
A
2
125  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
-40 to +125  
lElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
VF1  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.36  
0.47  
100  
Unit  
V
Conditions  
IF=100mA  
-
-
-
-
-
-
Forward voltage  
VF2  
IF=500mA  
VR=20V  
V
Reverse current  
IR  
μA  
www.rohm.com  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2011.06 - Rev.A  
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