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RB558WFH

更新时间: 2024-11-18 21:14:43
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 795K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, EMD3, SC-75A, 3 PIN

RB558WFH 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.67其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:30 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RB558WFH 数据手册

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Data Sheet  
AEC-Q101 Qualified  
Shottky barrier diode  
RB558WFH  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
Land size figure (Unit : mm)  
Low current rectification  
1.0  
0.5  
0.5  
1.6±0.2  
0.3±0.1  
0.15±0.05  
ꢀꢀꢀ 0.05  
(3)  
Features  
0.7  
1) Ultra small power mold type. (EMD3)  
2) Low IR  
0~0.1  
3) High reliability.  
0.6  
0.6  
(1)  
(2)  
0.5  
0.2±0.1  
ꢀꢀ-0.05  
EMD3  
0.55±0.1  
0.7±0.1  
0.5  
1.0±0.1  
Construction  
Structure  
Silicon epitaxial planar  
ROHM : EMD3  
JEDEC : SOT-416  
JEITA : SC-75A  
dot (year week factory  
Taping specifications (Unit : mm)  
φ1.5 0.1  
2.0±0.05  
0.3±0.1  
4.0±0.1  
0  
1.8±0.1  
φ0.5±0.1  
0.9±0.2  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
30  
Symbol  
Unit  
V
Reverse voltage (DC)  
VR  
Io  
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak (60Hz1cyc) (*1)  
Junction temperature  
100  
500  
125  
mA  
mA  
°C  
IFSM  
Tj  
Storage temperature  
40 to 125  
Tstg  
°C  
(*1) Rating of per diode  
Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
VF1  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.35  
0.49  
10  
Unit  
V
-
-
-
-
-
-
IF=10mA  
IF=100mA  
VR=10V  
Forward voltage  
Reverse current  
VF2  
V
IR  
μA  
www.rohm.com  
2011.04 - Rev.B  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
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