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RB558WFH

更新时间： 2024-01-20 17:53:22

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罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	795K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, EMD3, SC-75A, 3 PIN

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RB558WFH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.67	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB558WFH 数据手册

Data Sheet

AEC-Q101 Qualified

Shottky barrier diode

RB558WFH

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

Low current rectification

1.0

0.5

1.6±0.2

0.3±0.1

0.15±0.05

ꢀꢀꢀ 0.05

(3)

Features

0.7

1) Ultra small power mold type. (EMD3)

2) Low I^R

0～0.1

3) High reliability.

0.6

(1)

(2)

0.5

0.2±0.1

ꢀꢀ-0.05

EMD3

0.55±0.1

0.7±0.1

0.5

1.0±0.1

Construction

Structure

Silicon epitaxial planar

ROHM : EMD3

JEDEC : SOT-416

JEITA : SC-75A

dot (year week factory

Taping specifications (Unit : mm)

φ1.55±0.1

φ1.5 0.1

2.0±0.05

0.3±0.1

4.0±0.1

0

ꢀꢀꢀꢀꢀ

1.8±0.1

φ0.5±0.1

0.9±0.2

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

Unit

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc) (*1)

Junction temperature

100

500

125

°C

I_FSM

Storage temperature

40 to 125

Tstg

°C

(*1) Rating of per diode

Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

0.35

0.49

Unit

I_F=10mA

I_F=100mA

V_R=10V

Forward voltage

Reverse current

V_F2

I_R

μA

www.rohm.com

2011.04 - Rev.B

1/3

12 3 4

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