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RB551VM-30FHTE-17

更新时间: 2024-11-20 21:17:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 774K
描述
Rectifier Diode,

RB551VM-30FHTE-17 技术参数

生命周期:Not RecommendedReach Compliance Code:unknown
风险等级:8.24二极管类型:RECTIFIER DIODE
Base Number Matches:1

RB551VM-30FHTE-17 数据手册

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Schottky Barrier Diode  
Datasheet  
RB551VM-30FH  
AEC-Q101 Qualified  
Application  
Dimensions (Unit : mm)  
Land size figure (Unit : mm)  
General rectification  
0.9  
Features  
1) Ultra small mold type (UMD2)  
2) High reliability  
UM
Super low VF  
3)  
(1) Cathode  
cture  
Construction  
(2) Anode  
Silicon epitaxial planar type  
Taping specifications (nit : mm)  
4.0±0.1  
0.1  
0  
2.0±0.0
1.5  
0.25±0.05  
0.1  
0.2  
0  
1.4  
±0.1  
1.5 MAX  
1.0  
Absolute Maximum Ratngs (Tc= 25°C)  
Paramer  
Symbo
Conditions  
Duty0.5  
Direct reverse voltage  
Limits  
30  
Unit  
V
VRM  
VR  
Io  
Repetitive peak rerse voltage  
Reverse vtage  
20  
V
Glass epoxy board mounted, 60Hz half sin wave,  
resistive load  
Average orward rectified curret  
500  
2
mA  
A
60Hz half sin wave, Non-repetitive at  
Ta=25ºC , 1cycle  
Norepe forward current surge peak IFSM  
Tj  
-
-
125  
perating junction temperature  
Storage temperature  
°C  
Tstg  
55 to 125 °C  
Electrical Characteristics (Tj= 25°C)  
Parameter  
Conditions  
IF=100mA  
IF=500mA  
VR=20V  
Symbol  
VF1  
Min. Typ. Max. Unit  
-
-
-
-
-
-
0.36  
0.47  
100  
V
V
Forward voltage  
VF2  
IR  
Reverse current  
A  
www.rohm.com  
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2015.09 - Rev.A  
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