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RB557W

更新时间: 2024-11-18 09:37:51
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罗姆 - ROHM 整流二极管肖特基二极管光电二极管
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4页 974K
描述
Schottky Barrier Diode

RB557W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-75A
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.68
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

RB557W 数据手册

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Data Sheet  
Schottky Barrier Diode  
RB557W  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
Land size figure (Unit : mm)  
General rectification  
0.5  
0.5  
1.6±0.2  
0.3±0.1  
0.15±0.05  
ꢀꢀꢀ 0.05  
(3)  
Features  
0.7  
1)Ultra small mold type. (EMD3)  
2)Low VF  
0~0.1  
3)High reliability  
0.6  
0.6  
(1)  
(2)  
0.5  
0.2±0.1  
ꢀꢀ-0.05  
EMD3  
0.55±0.1  
0.7±0.1  
0.5  
1.0±0.1  
Construction  
Silicon epitaxial planar  
Structure  
ROHM : EMD3  
JEDEC : SOT-416  
JEITA : SC-75A  
dot (year week factory  
Taping specifications (Unit : mm)  
φ1.5 0.1  
2.0±0.05  
0.3±0.1  
4.0±0.1  
0  
1.8±0.1  
φ0.5±0.1  
0.9±0.2  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
30  
Symbol  
Unit  
V
Reverse voltage (DC)  
VR  
Io  
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak (60Hz1cyc) (*1)  
Junction temperature  
100  
500  
125  
mA  
mA  
°C  
IFSM  
Tj  
Storage temperature  
40 to 125  
Tstg  
°C  
(*1) Rating of per diode  
Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Conditions  
IF=10mA  
Symbol  
VF1  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
-
-
-
-
-
-
0.35  
0.49  
10  
V
V
Forward voltage  
Reverse current  
VF2  
IF=100mA  
VR=10V  
IR  
μA  
www.rohm.com  
2011.04 - Rev.A  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
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