RB558W

更新时间： 2024-02-20 18:50:49

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管光电二极管
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4页	197K
描述
Schottky barrier diode

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RB558W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	7.5
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.35 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值正向电流：	0.5 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB558W 数据手册

RB558W

Diodes

Schottky barrier diode

RB558W

zApplications

z External dimensions (Unit : mm)

z Land size figure (Unit : mm)

Low current rectification

1.6± 0.2

0.3±0.1

0.5

0.15±0.05

0.5

ꢀꢀꢀ 0.05

(3)

zFeatures

1) Ultra Small power mold type.

(EMD3)

0.7

0～0.1

(1)

(2)

0.2±0.1

ꢀꢀ-0.05

0.55±0.1

0.7±0.1

2) Low V_F

0.5

0.6

1.0± 0.1

EMD3

3) High reliability.

zStructure

zConstruction

Silicon epitaxial planar

ROHM : EMD3

JEDEC : SOT-416

JEITA : SC-75A

dot (year week factory)

z Taping specifications (Unit : mm)

φ1.55±0.1

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

1.8±0.1

φ1.1±0.1

4.0±0.1

2.0±0.05

0.9±0.2

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

Unit

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

100

℃

Forward current surge peak (60Hz 1cyc) (*1)

・

500

I_FSM

Junction temperature

Storage temperature

125

-40 to +125

Tstg

℃

(*1)Per chip

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Conditions

I_F=10mA

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.35

0.49

Unit

V_F1

V_F2

I_F=100mA

V_R=10V

I_R

µA

1/3

12 3 4

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