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RB558W

更新时间: 2024-11-17 21:55:15
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罗姆 - ROHM 肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 197K
描述
Schottky barrier diode

RB558W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:SC-75A
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.4
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.35 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:0.5 A
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

RB558W 数据手册

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RB558W  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB558W  
zApplications  
z External dimensions (Unit : mm)  
z Land size figure (Unit : mm)  
Low current rectification  
1.6± 0.2  
0.3±0.1  
0.5  
0.15±0.05  
0.5  
ꢀꢀꢀ 0.05  
(3)  
zFeatures  
1) Ultra Small power mold type.  
(EMD3)  
0.7  
0~0.1  
(1)  
(2)  
0.2±0.1  
ꢀꢀ-0.05  
0.55±0.1  
0.7±0.1  
2) Low VF  
0.5  
0.5  
0.6  
0.6  
1.0± 0.1  
EMD3  
3) High reliability.  
zStructure  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
ROHM : EMD3  
JEDEC : SOT-416  
JEITA : SC-75A  
dot (year week factory)  
z Taping specifications (Unit : mm)  
φ1.55±0.1  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3±0.1  
0
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
1.8±0.1  
φ1.1±0.1  
4.0±0.1  
2.0±0.05  
0.9±0.2  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
30  
Symbol  
VR  
Unit  
V
Reverse voltage (DC)  
Average rectified forward current  
100  
Io  
mA  
mA  
Forward current surge peak (60Hz 1cyc) (*1)  
500  
IFSM  
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
125  
-40 to +125  
Tstg  
(*1)Per chip  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Reverse current  
Conditions  
IF=10mA  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.35  
0.49  
10  
Unit  
VF1  
-
-
-
-
-
-
V
V
VF2  
IF=100mA  
VR=10V  
IR  
µA  
1/3  

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