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RB558VA150

更新时间： 2024-11-18 11:58:31

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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5页	579K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB558VA150 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.42
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.95 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	3 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	150 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB558VA150 数据手册

RB558VA150

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB558VA150

lApplications

General rectification

lExternal Dimensions(Unit : mm)

lLand Size Figure(Unit : mm)

1.1

0.17±0.1

ꢀꢀ 0.05

1.3±0.05

lFeatures

1)Small power mold type.(TUMD2)

2)High reliability

3)AEC-Q101 qualified

TUMD2

lConstruction

Silicon epitaxial

lStructure

0.8±0.05

0.6±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

ROHM : TUMD2

Manufacture Date

lTaping Dimensions(Unit : mm)

φ 1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ 0

0.25±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ 1.0±0.2

ꢀꢀꢀꢀꢀ0

1.43±0.05

0.9±0.08

lAbsolute Maximum Ratings(Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

Unit

V_RM

V_R

150

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

0.5

I_FSM

150

°C

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

(*1)Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave

lElectrical Characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

V_F

I_R

I_F=0.5A

V_R=150V

0.95

0.5

Reverse current

www.rohm.com

1/4

2012.08 - Rev.A

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