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RB521ZS8A30TE61

更新时间: 2024-11-21 15:49:15
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罗姆 - ROHM 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 489K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 4 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, DFN1608-8, 8 PIN

RB521ZS8A30TE61 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PBCC-N8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:7.99
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.37 V
JESD-30 代码:R-PBCC-N8最大非重复峰值正向电流:0.5 A
元件数量:4相数:1
端子数量:8最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.4 W
最大重复峰值反向电压:30 V最大反向电流:7 µA
反向测试电压:10 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RB521ZS8A30TE61 数据手册

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Data Sheet  
Schottky Barrier Diode  
RB521ZS8A30  
lLand size figure (Unit : mm)  
lApplications  
lDimensions (Unit : mm)  
Rectifying small power  
0.4  
lFeatures  
A H  
1) Ultra small mold type (HMD8)  
2) Halogen Free  
0.25  
HMD8  
ROHM : HMD8  
lStructure  
JEDEC : -  
JEITA : -  
dot  
lConstruction  
(year week factory)  
Silicon epitaxial planer  
lTaping dimensions (Unit : mm)  
lAbsolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Reverse voltage (DC)  
Limits  
30  
Symbol  
VR  
Unit  
V
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak (60Hz1cyc.) (*2)  
Junction temperature  
100  
Io  
mA  
500  
FSM  
Tj  
mA  
150  
C  
Storage temperature  
Tstg  
Pd  
-55 to +150  
400  
C  
mW/Total  
Power dissipation  
(*1)(*2)Rating of per diode  
lElectrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.37  
7
Unit  
V
Conditions  
VF  
IR  
IF=10mA  
VR=10V  
-
-
-
-
Reverse current  
μA  
www.rohm.com  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2011.11 - Rev.A  
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