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RB530CM-60

更新时间： 2024-01-20 23:54:33

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罗姆 - ROHM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	481K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 60V V(RRM), Silicon, VMN2M, 2 PIN

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RB530CM-60 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.65	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	60 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB530CM-60 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB530CM-60

Data Sheet

lApplication

lDimensions (Unit : mm)

lLand Size Figure (Unit : mm)

General rectification

0.55

0.37±0.05

(1)

lFeatures

1) Small mold type

(VMN2M)

0~0.10

VMN2M

2) High reliability

(1) Cathode

(2)

0.22±0.05

0.60±0.05

0.16±0.05

Low V_F

lStructure

ROHM : VMN2M

: Manufacture year/ week/ factory

(2) Anode

lConstruction

lTaping Dimensions (Unit : mm)

Silicon epitaxial planar type

4.0±0.05

f1.55±0.05

2.0±0.05

0.2±0.05

2.0±0.05

f0.5±0.05

0.7±0.05

0.47±0.05

lAbsolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Duty≦0.5

Limits

Unit

V_RM

V_R

I_o

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Direct reverse voltage

Glass epoxy board mounted, 60Hz half sin wave,

resistive load

Average forward rectified current

100

200

150

°C

60Hz half sin wave, Non-repetitive at

T_a=25ºC , 1cycle

Non-repetitive forward current surge peak I_FSM

T_j

Operating junction temperature

Storage temperature

T_stg

-55 to +150 °C

lElectrical Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Conditions

I_F=10mA

I_F=15mA

V_R=60V

Symbol

V_F1

Min. Typ. Max. Unit

0.47 0.54

0.52 0.60

Forward voltage

V_F2

I_R

Reverse current

0.09

www.rohm.com

2015.03 - Rev.A

1/5

12 3 4 5 6 7 8

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