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RB530CM-60

更新时间: 2024-11-21 14:36:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 481K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 60V V(RRM), Silicon, VMN2M, 2 PIN

RB530CM-60 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-F2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.65其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:60 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RB530CM-60 数据手册

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Schottky Barrier Diode  
RB530CM-60  
Data Sheet  
lApplication  
lDimensions (Unit : mm)  
lLand Size Figure (Unit : mm)  
General rectification  
0.55  
0.37±0.05  
(1)  
lFeatures  
1) Small mold type  
(VMN2M)  
0~0.10  
VMN2M  
2) High reliability  
(1) Cathode  
(2)  
0.22±0.05  
0.60±0.05  
0.16±0.05  
Low VF  
3)  
lStructure  
ROHM : VMN2M  
: Manufacture year/ week/ factory  
(2) Anode  
lConstruction  
lTaping Dimensions (Unit : mm)  
Silicon epitaxial planar type  
4.0±0.05  
f1.55±0.05  
2.0±0.05  
0.2±0.05  
2.0±0.05  
f0.5±0.05  
0.7±0.05  
0.47±0.05  
lAbsolute Maximum Ratings (Tc= 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Duty0.5  
Limits  
60  
Unit  
V
VRM  
VR  
Io  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Direct reverse voltage  
60  
V
Glass epoxy board mounted, 60Hz half sin wave,  
resistive load  
Average forward rectified current  
100  
200  
150  
mA  
mA  
°C  
60Hz half sin wave, Non-repetitive at  
Ta=25ºC , 1cycle  
Non-repetitive forward current surge peak IFSM  
Tj  
-
-
Operating junction temperature  
Storage temperature  
Tstg  
-55 to +150 °C  
lElectrical Characteristics (Tj= 25°C)  
Parameter  
Conditions  
IF=10mA  
IF=15mA  
VR=60V  
Symbol  
VF1  
Min. Typ. Max. Unit  
-
-
-
0.47 0.54  
0.52 0.60  
V
V
Forward voltage  
VF2  
IR  
Reverse current  
0.09  
1
mA  
www.rohm.com  
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2015.03 - Rev.A  
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