5秒后页面跳转
RB530XNTR PDF预览

RB530XNTR

更新时间: 2024-09-17 20:09:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 1696K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 3 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, SC-88, 6 PIN

RB530XNTR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SC-88, 6 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:5.69其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SEPARATE, 3 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.53 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G6元件数量:3
端子数量:6最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:30 V最大反向电流:1 µA
子类别:Other Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RB530XNTR 数据手册

 浏览型号RB530XNTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RB530XNTR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RB530XNTR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RB530XNTR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RB530XNTR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RB530XNTR的Datasheet PDF文件第7页 
RB530XN  
Schottky Barrier Diode  
Data sheet  
Outline  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ ꢀꢀꢀꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ  
V
30  
100  
1
V
mA  
A
R
I
o
I
FSM  
ꢀ ꢀ  
Features  
Inner Circuit  
High reliability  
Small mold type  
Low V  
F
Application  
Packaging Specifications  
Packing  
Small current rectification  
Embossed Tape  
Reel Size(mm)  
180  
8
3000  
TR  
Taping Width(mm)  
Basic Ordering Unit(pcs)  
Taping Code  
Structure  
Epitaxial planar  
Marking  
3H  
(T = 25ºC unless otherwise stated)  
Absolute Maximum Ratings  
a
Parameter  
Reverse voltage  
Symbol  
Conditions  
Reverse direct voltage  
Limits  
30  
Unit  
V
V
R
Glass epoxy mounted60Hzhalf sin  
waveformresistive loadper diode  
I
Average rectified forward current  
Peak forward surge current  
100  
mA  
A
o
60Hzhalf sin waveformNon-repetitive、  
I
1
FSM  
one cycleper diodeT =25ºC  
a
T
T
stg  
Junction temperature  
Storage temperature  
ꢀꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
-
-
125  
-40 125  
j
(T = 25ºC unless otherwise stated)  
Characteristics  
a
Value per diode  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
V
I =10mA  
-
-
-
-
-
-
0.40  
0.53  
1
V
V
μA  
F1  
F
Forward voltage  
V
I =100mA  
F2  
F
I
R
Reverse current  
Cautionstatic electricity  
Attention  
V =10V  
R
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
www.rohm.com  
©2016 ROHMCo., Ltd.All rights reserved.  
1/4  
2016/09/28_Rev.001  

与RB530XNTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RB531CM-30 ROHM

获取价格

RB531CM-30是超低VF的一般整流用途的肖特基势垒二极管。
RB531CM-40 ROHM

获取价格

RB531CM-40是超低VF且适用于小电流整流用的高可靠性肖特基势垒二极管。
RB531S-30 ROHM

获取价格

Schottky Barrier Diode
RB531S-30 SUNMATE

获取价格

Rectifier device Schottky Diode
RB531S-30 BL Galaxy Electrical

获取价格

0.1A,30V,Surface Mount Small Signal Schottky Diodes
RB531S-30_11 ROHM

获取价格

Schottky Barrier Diode
RB531S-30FHTE61 ROHM

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 30V V(RRM),
RB531S-30TE61 ROHM

获取价格

Schottky Barrier Diode
RB531SM-30 ROHM

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, EMD2, SC-79, 2 PIN
RB531SM-30FH ROHM

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, SC-79, 2 PIN