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RB531XNTN

更新时间： 2024-09-17 21:22:35

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罗姆 - ROHM		测试
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4页	184K
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Diode,

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RB531XNTN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	最大正向电压 (VF)：	0.3 V
最高工作温度：	125 °C	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向电流：	20 µA	反向测试电压：	10 V
子类别：	Other Diodes	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

RB531XNTN 数据手册

RB531XN

Diodes

Schottky barrier diode

RB531XN

zApplications

z External dimensions (Unit : mm)

z Land size figure (Unit : mm)

Rectifying small power

0.65 0.65

2.0±0.2

0.1

0.05

各リードとも

Each lead has same dimension

同寸法

0.25±

0.15±0.05

zFeatures

(6)

(5)

(4)

1) Small mold type. (UMD6)

2) Low V_F

0.35

3) High reliability.

0～0.1

UMD6

(1)

0.65

(2)

(3)

0.65

0.7

1.3±0.1

zStructure

0.9±0.1

zConstruction

Silicon epitaxial planar

ROHM : UMD6

JEDEC : SOT-363

JEITA : SC-88

dot (year week factory)

z Taping specifications (Unit : mm)

φ1.5±0.1

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

φ1.1±0.1

4.0±0.1

2.2±0.1

1.15±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

Unit

Reverse voltage (DC)

100

Average rectified forward voltage

Forward voltage surge peak （60Hz・1cyc）（*1）

Junction temperature

I_FSM

125

℃

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

℃

(*1) Rating of per diode

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Conditions

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

Unit

0.30

0.43

I_F=10mA

V_F2

I_F=100mA

V_R=10V

I_R

µA

Rev.B

1/3

12 3 4

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