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RB531XNFHTR

更新时间: 2024-11-25 13:12:55
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罗姆 - ROHM 整流二极管肖特基二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 195K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 3 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, SC-88, 6 PIN

RB531XNFHTR 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:SC-88, 6 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:4.85Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SEPARATE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.3 VJESD-30 代码:R-PDSO-G6
元件数量:3端子数量:6
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:30 V最大反向电流:20 µA
反向测试电压:10 V子类别:Other Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RB531XNFHTR 数据手册

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Schottky Barrier Diode  
RB531XN  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
Land size figure (Unit : mm)  
Rectify small power  
0.65 0.65  
2.0±0.2  
0.1  
0.05  
Each lead has same dimension  
0.25±  
0.15±0.05  
(6)  
(5)  
(4)  
Features  
1)Small mold type.(UMD6)  
2)Low VF  
0.35  
3)High reliability  
0~0.1  
(1)  
(2)  
(3)  
UMD6  
0.65  
0.65  
0.7  
Construction  
1.3±0.1  
0.9±0.1  
Silicon epitaxial  
ROHM : UMD6  
JEDEC : SOT-363  
JEITA : SC-88  
Structure  
dot (year week factory)  
Taping specifications (Unit : mm)  
φ1.5±0.1  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3±0.1  
0
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
φ1.1±0.1  
4.0±0.1  
2.2±0.1  
1.15±0.1  
Absolute maximum ratings (Ta=25)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VR  
Unit  
V
Reverse voltage (DC)  
30  
100  
Average rectified forward voltage  
Forward voltage surge peak(60Hz/1cyc)(*1)  
Io  
IFSM  
Tj  
mA  
A
1
Junction temperature  
Storage temperature  
125  
-40 to +125  
Tstg  
(*1) Rating of per diode  
Electical voltage (Ta=25)  
Parameter  
Conditions  
IF=10mA  
Symbol  
VF1  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.30  
0.43  
20  
Unit  
V
-
-
-
-
-
-
Forward voltage  
Reverse current  
VF2  
IF=100mA  
VR=10V  
V
IR  
µA  
www.rohm.com  
©2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2009.02 - Rev.E  
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