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RB530VM-30

更新时间： 2024-02-05 14:30:20

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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描述
Schottky Barrier Diode

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RB530VM-30 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-90A	包装说明：	UMD2, SC-90/A, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.62	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB530VM-30 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB530VM-30

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification

1.25±0.1

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

0.9MIN.

Features

1)Ultra small mold type. (UMD2)

2)High reliability

UMD2

Construction

0.7±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

Silicon epitaxial planer

Structure

0.3±0.05

ROHM : UMD2

JEDEC : SOD-323

JEITA : SC-90/A

dot (year week factory)

Taping dimensions (Unit : mm)

φ1.55±0.05

0.3±0.1

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.05

1.40±0.1

1.0±0.1

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

100

500

150

I_FSM

°C

Storage temperature

Tstg

40 to 150

Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.45

0.5

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=10mA

V_R=10V

Reverse current

μA

www.rohm.com

2011.09 - Rev.A

1/4

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