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RB530S-30_11

更新时间： 2022-11-17 00:38:10

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	1040K
描述
Schottky barrier Diode

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RB530S-30_11 数据手册

Data Sheet

Schottky barrier Diode

RB530S-30

Land size figure (Unit : mm)

Applications

Dimensions (Unit : mm)

General rectification

0.8

Features

1)Ultra small mold type. (EMD2)

2)Low I_R

3)High reliability

EMD2

Construction

Structure

Silicon epitaxial planer

Taping specifications (Unit : mm)

0.2±0.05

φ1.5±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.55±0.05

0.2

φ0.5

4.0±0.1

2.0±0.05

0.95±0.06

0.90±0.05

空ポケット

Empty pocket

0.76±0.05

0.75±0.05

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

I_FSM

Unit

C

Reverse voltage (DC)

100

500

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz/1cyc)

Junction temperature

125

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

C

Electical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.45

0.5

Unit

V_F

I_R

I_F=10mA

V_R=10V

Forward voltage

Reverse current

μA

www.rohm.com

2011.03 - Rev.B

1/3

12 3 4

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