Datasheet > RB530S-30FHTE61

RB530S-30FHTE61

更新时间： 2024-01-12 08:39:59

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	924K
描述
Rectifier Diode,

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RB530S-30FHTE61 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
Base Number Matches：	1

RB530S-30FHTE61 数据手册

Data Sheet

AEC-Q101 Qualified

Schottky barrier Diode

RB530S-30FH

Land size figure (Unit : mm)

Applications

Dimensions (Unit : mm)

General rectification

0.8

Features

1)Ultra small mold type. (EMD2)

2)Low I_R

3)High reliability

EMD2

Construction

Structure

Silicon epitaxial planer

Taping specifications (Unit : mm)

0.2±0.05

φ1.5±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.55±0.05

0.2

φ0.5

4.0±0.1

2.0±0.05

0.95±0.06

0.90±0.05

空ポケット

Empty pocket

0.76±0.05

0.75±0.05

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

I_FSM

Unit

C

Reverse voltage (DC)

100

500

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz/1cyc)

Junction temperature

125

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

C

Electical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.45

0.5

Unit

V_F

I_R

I_F=10mA

V_R=10V

Forward voltage

Reverse current

μA

www.rohm.com

2011.03 - Rev.B

1/3

12 3 4 5 6

下载PDF

与RB530S-30FHTE61相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RB530S40	NEXPERIA	40 V, 0.3 A Schottky barrier diodeProduction	获取价格
RB530SM-30	ROHM	Schottky Barrier Diode	获取价格
RB530SM-30_16	ROHM	Schottky Barrier Diode	获取价格
RB530SM-30FH	ROHM	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, SC-79, 2 PIN	获取价格
RB530SM-30FHT2R	ROHM	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, SC-79, 2 PIN	获取价格
RB530SM-30T2R	ROHM	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, SC-79, 2 PIN	获取价格