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RB522ES-30T15R

更新时间： 2024-11-21 19:58:11

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罗姆 - ROHM		二极管
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5页	1581K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon,

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RB522ES-30T15R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.7
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-XBCC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB522ES-30T15R 数据手册

Schottky Barrier Diode

RB522ES-30

Data Sheet

lApplication

lDimensions (Unit : mm)

lLand Size Figure (Unit : mm)

General rectification

0.31

lFeatures

1) Small silicon package

(SMD0603)

0～0.030

SMD0603

0.280±0.010

0.260±0.010

0.300±0.010

2) High Accuracy

Manufacturing Dimension

tolerance10mm

Cathode

lStructure

ROHM: SMD0603

3) Low V_F

Anode

lConstruction

lTaping Dimensions (Unit : mm)

Silicon epitaxial planar type

●Absolure Maximum Ratings (Ta=25^oC)

Parameter

Conditions

Limits

Unit

Symbol

V_RM

Duty≦0.5

Repetitive Peak Reverse Voltage

Direct Reverse Voltage

V_R

I_O

100

Reverse Voltage

Glass epoxy board mounted, 60Hz half sin

wave, resistive load,

Average forward rectified current

Non-repetitive Forward Current Surge Peak

ºC

60Hz half sin wave, one cycle, non-repetitive

at T_a=25ºC

I_FSM

T_j

500

150

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

T_stg

-40～+150

ºC

●Electrical Characteristics (Tj=25℃)

Parameter

Forward Voltage

Conditions

I_F=10mA

V_R=10V

Max

Symbol

Unit

μA

V_F

I_R

370

Reverse Current

www.rohm.com

2016.12 - Rev.A

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