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RB480K_1

更新时间： 2024-09-17 03:37:55

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罗姆 - ROHM		二极管
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Shottky barrier diode

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RB480K_1 数据手册

RB480K

Diodes

Shottky barrier diode

RB480K

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

Low current rectification

0.6

0.7

2.0±0.2

0.1

0.05

各リードとも

同寸法

0.25±

0.15±0.05

Each lead has same dimension

(3)

(2)

zFeatures

1) Ultra small mold type. (UMD4)

0.05

2) Low I .

0～0.1

3) High reliability.

1.3

(4)

0.65

(1)

UMD4

0.65

0.7

1.3±0.1

0.9±0.1

zConstruction

zStructure

Silicon epitaxial planar

ROHM : UMD4

JEDEC : SOT-343

JEITA : SC-82

dot (year week factory)

1Pin Mark

zTaping dimensions (Unit : mm)

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3±0.1

φ1.1±0.1

4.0±0.1

2.2±0.1

1.15±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current（*1）

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）（*1）

Junction temperature

100

125

I_FSM

℃

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

(*1) Rating of per diode

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

I_F=10mA

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

Unit

0.45

0.6

Forward voltage

V_F2

I_F=100mA

V_R=10V

I_R1

µA

Reverse current

I_R2

V_R=40V

V_R=10V , f=1MHz

V_R=0V

Ct1

Ct2

Capacitance between terminals

Rev.B

1/3

12 3 4

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